تم في هذا البحث تسليط أشعة سينية( X Ray ) بفرق جهد (35 KV ) وبتيار (1 mA) على ترانزستورBJT (Bipolar Junction Transistor ) من نوع (NPN ) يحمل الرمز(2N3035 ) لفترات زمنية متتالية (40,35,30,25,20,15,10.5) دقيقة تم دراسة تغير منحنيات خواص الإخراج (VCE , ICE ) لكل فترات التشعيع ودراسة تغير منحنيات الإدخال (IB-VBE ) تغير قيمة العامل( d.cβ) والجهد الحاجز(VB) مع أزمان التشعيع . تم أيضا وضع الترانزستور في دائرة يعمل فيها الترانزستور كمكبر بتغذية عكسية لدراسة تأثير التشعيع على عامل التكبير للتغذية العكسية (( Aƒ . بينت النتائج انخفاض في قيم منحنيات (VCE , ICE VBE,) وانخفاض قيمة المعاملات ( d.cβ و VB) مع أزمان التشعيع . أبدى الترانزستور تغيرات طفيفة بالنسبة إلى عامل التكبير(( Aƒ عند استعمال التغذية العكسية والاشاره الخارجة من المكبر لم تعاني من أي تشوه .
محفوظ محمد, ولاء. (2010). دراسة تأثير الأشعة السينية على ترانزستور ثنائي القطبية BJT عند أزمان مختلفة. مجلة كركوك للعلوم Kirkuk Journal of Science, 5(2), 65-75. doi: 10.32894/kujss.2010.41433
MLA
ولاء محفوظ محمد. "دراسة تأثير الأشعة السينية على ترانزستور ثنائي القطبية BJT عند أزمان مختلفة". مجلة كركوك للعلوم Kirkuk Journal of Science, 5, 2, 2010, 65-75. doi: 10.32894/kujss.2010.41433
HARVARD
محفوظ محمد, ولاء. (2010). 'دراسة تأثير الأشعة السينية على ترانزستور ثنائي القطبية BJT عند أزمان مختلفة', مجلة كركوك للعلوم Kirkuk Journal of Science, 5(2), pp. 65-75. doi: 10.32894/kujss.2010.41433
VANCOUVER
محفوظ محمد, ولاء. دراسة تأثير الأشعة السينية على ترانزستور ثنائي القطبية BJT عند أزمان مختلفة. مجلة كركوك للعلوم Kirkuk Journal of Science, 2010; 5(2): 65-75. doi: 10.32894/kujss.2010.41433
)
