مجلة كركوك للعلوم Kirkuk Journal of Science

مجلة كركوك للعلوم Kirkuk Journal of Science

دراسة تأثير الأشعة السينية على ترانزستور ثنائي القطبية BJT عند أزمان مختلفة

المؤلف
الملخص
تم في هذا البحث تسليط أشعة سينية( X Ray ) بفرق جهد (35 KV ) وبتيار (1 mA) على ترانزستورBJT (Bipolar Junction Transistor ) من نوع (NPN ) يحمل الرمز(2N3035 ) لفترات زمنية متتالية (40,35,30,25,20,15,10.5) دقيقة تم دراسة تغير منحنيات خواص الإخراج (VCE , ICE ) لكل فترات التشعيع ودراسة تغير منحنيات الإدخال (IB-VBE ) تغير قيمة العامل( d.cβ) والجهد الحاجز(VB) مع أزمان التشعيع . تم أيضا وضع الترانزستور في دائرة يعمل فيها الترانزستور كمكبر بتغذية عكسية لدراسة تأثير التشعيع على عامل التكبير للتغذية العكسية (( Aƒ . بينت النتائج انخفاض في قيم منحنيات (VCE , ICE VBE,) وانخفاض قيمة المعاملات ( d.cβ و VB) مع أزمان التشعيع . أبدى الترانزستور تغيرات طفيفة بالنسبة إلى عامل التكبير(( Aƒ عند استعمال التغذية العكسية والاشاره الخارجة من المكبر لم تعاني من أي تشوه .
الكلمات الرئيسة

السنة 5، العدد 2
الخريف 2010
الصفحة 65-75

  • تاريخ الاستلام 01 كانون الأوّل / ديسمبر 2010
  • تاريخ التعديل 20 كانون الأوّل / ديسمبر 2010
  • تاريخ القبول 25 كانون الأوّل / ديسمبر 2010