دراسة تاثير تركيز Zr على خصائص الكواشف Pb(Zrx,Ti1-x)O3 /n-Si and Pb(Zrx,Ti1-x)O3 /n-PS المحضر بطريقة الترسيب بالليزر النبضي.

حميد محمد, غصون; عبد الله رضوان, حميد; الكريم دهش علي, عبد; عبد الواحد ادم, كاظم

doi:10.32894/kujss.2017.124961

دراسة تاثير تركيز Zr على خصائص الكواشف Pb(Zrx,Ti1-x)O3 /n-Si and Pb(Zrx,Ti1-x)O3 /n-PS المحضر بطريقة الترسيب بالليزر النبضي.

المؤلفون

غصون حميد محمد

حميد عبد الله رضوان

عبد الكريم دهش علي

كاظم عبد الواحد ادم

10.32894/kujss.2017.124961

الملخص

حضر مسحوق (PZT) Pb(Zrx,Ti1-x)O3 بطريقة تفاعل الحالة الصلبة ورسب على السيلكونPb(Zrx,Ti1-x)O3/n-Si وعلى السيلكون المساميPb(Zrx,Ti1-x)O3/n-PS ذو الاتجاه(111) ومقاومية(0.015 Ω.cm) بتقنية الترسيب بالليزر النبضي. استخدمنا خلية التنميش الكهروكيميائي البصري لعمل طبقات مسامية على سطح السيلكون باسخدام منظومة التبخير الكيميائي. تم ترسيب الالمنيوم على الجهة الخلفية للسيلكون لعمل الاقطاب بطريقة الاتصال الاومي. القياسات الطيفية ( الاستجابية، الكفاءة الكمية، الكشفية، الضوضاء المكافئة للقدرة) للغشاء Pb(Zrx,Ti1-x)O3 المحضر على السيلكون وعلى السيلكون المسامي تظهر قيم ( 1.2482 ، 0.4422% ، 2.207×1010 و0.45×10-10 ) و ( 1.5695 ، 0.5561% ، 2.618×1010 و ( 0.36×10-10على الترتيب. افضل نسبة للزركونيوم هي 0.5 لجميع العينات. القياسات الطيفية للاجهزة تظهر سلوكا مستقرا لجميع العينات بعد عملية التنميش وقيم معاملات الكواشف المحضرة على السيلكون المسامي اكبر من قيم معاملات الكواشف المحضرة على السيلكون.

الكلمات الرئيسة

تركيز الزركونيوم

الترسيب بالليزر النبضي

الكواشف